![硅基射频器件的建模与参数提取](https://wfqqreader-1252317822.image.myqcloud.com/cover/930/43737930/b_43737930.jpg)
2.5.3 三维电感的模型参数提取
下面介绍三维电感的模型参数提取过程,首先本征基本单元总电阻nRC可以由-1/Y21的实部确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_66.jpg?sign=1739310445-FTqIR4p6LIvrbocZmZhJfliWcIAH3eOF-0-26266c5705325afe29f0335d5ed106e3)
本征基本单元总的电感Lvia+nLC可以由-1/Y12的虚部在低频情况下确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_67.jpg?sign=1739310445-Ws7Wvxhccu2PuLJGMTxu9XEXEEekaZ6P-0-e17670dcb24f6b9617ab4762816b3dd7)
式中,n为本征基本单元的数目,ω为角频率。
氧化层电容Cox1和Cox2由-1/(Y11+Y12)和-1/(Y22+Y12)的虚部在低频情况下确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_68.jpg?sign=1739310445-3O2f4T0qIN5xJGLnA39ou5mVlA4h9N39-0-8a0ffb82c4d3b2aa4ad1080bd94e0983)
衬底电阻Rsub1和Rsub2可以由下面的公式估计:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_69.jpg?sign=1739310445-6zlgMRqcJCLUkuf3SKgTSAOTuQPf4YUh-0-a624d2f922a0c5bc7239d876f2f19e8f)
衬底电容Csub1和Csub2可以由下面的公式估计:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_70.jpg?sign=1739310445-gQM34EoXJdkYP3vC5Nh4yEPk3QbPWGKh-0-ef157f855bb75381f3974d3bf51dde97)
耦合电容CC可以利用平板电容公式确定:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_71.jpg?sign=1739310445-wp1wXjMMufJH2MolHDqutpThFy8hwQ7A-0-d49d3adc97562ee8a41af1e69d504e91)
式中,ε为介电常数,D为两层金属层之间介质的厚度,WC和LC分别为金属线圈的宽度和厚度。
两层金属间圆柱通孔的高度大约有几微米,远远小于工作波长的十分之一,因此其电感量Lvia可以由微带线的计算公式来估计:
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_72.jpg?sign=1739310445-yMORXAsK8gJ9pVEoxp1uiM9FDIGThy2Z-0-1932d8af90e5baef3123df93de7a0ecf)
式中,c为自由空间光的速度,Zo为馈线的特性阻抗,L为馈线长度和圆柱通孔高度之和。
图2.38给出了电感Lvia+nLC和本征电阻RC在低频情况下的提取结果,从图中可以看到,在0.1~2.0GHz的频段范围内几乎为常数。图2.39给出了衬底电阻Rsub1和Rsub2的提取结果,从图中可以看到,输入/输出端口的衬底电阻很接近。
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_73.jpg?sign=1739310445-pZQ3vwiiIlvwLcJPn447plVSam0mMeJP-0-6c6d033379596fbbd9e40542439814c5)
图2.38 电感Lvia+nLC和本征电阻RC在低频情况下的提取结果
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_74.jpg?sign=1739310445-XaYlKQZlU1X6Kts3L2b7FwkZXyZSPWH1-0-06961c0511e1e717b6a7bfeeac6f5841)
图2.39 衬底电阻Rsub1和Rsub2的提取结果
表2.7给出了提取的模型参数,其中第一列数值为直接提取结果,第二列数值为进一步优化的结果。图2.40给出了10MHz~20GHz频段S参数模拟和测试对比曲线,可以看出,模拟结果和测试结果吻合得很好。图2.41给出了10MHz~20GHz频段S参数精度对比曲线,可以发现和传统模型相比,本文所提出模型S11的精度在高频范围内得到了较大的改善。
表2.7 三维电感模型参数
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![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_76.jpg?sign=1739310445-PyknXQj9DNfv9LUH43RyGre0PiPuEEE0-0-003c049f4eaa8960b5aa0560e60b5a25)
图2.40 三维电感S参数模拟和测试对比曲线
![img](https://epubservercos.yuewen.com/BD9427/23020634701634806/epubprivate/OEBPS/Images/txt002_77.jpg?sign=1739310445-aAAXvstezWNJQJ5kTduDuqNGzGieoy42-0-9725bea506229bc47f9832ddfc904a54)
图2.41 三维电感S参数精度对比曲线